特許

J-GLOBAL ID：200903006502264226

共振器およびその製造方法および共振器を有する電子デバイス

発明者： グレン ロバート カワチ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032113
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274650
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 その抵抗率に影響を与えることなしに、より高い結晶性および配向性を有する薄膜酸化亜鉛共振器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 共振器の製造方法が開示される。この方法は、誘電体層を有する基板ベース(50)を提供するステップをまず含む。その後、接着性層(115)が、誘電体層上に形成され、ニュークリエーション促進膜(120)が、接着性層上に形成される。続いて、酸化亜鉛層(125)が、ニュークリエーション促進膜上に形成され、上側導電性層(130)が、酸化亜鉛層上に形成される。

請求項（抜粋）：

(A) 基板ベースを提供するステップと、(B) 前記基板ベース上に接着性層を形成するステップと、(C) 前記接着性層上に非酸化のニュークリエーション促進膜を形成するステップと、(D) 前記ニュークリエーション促進膜上に酸化亜鉛の結晶性層を形成するステップと、(E) 前記酸化亜鉛の結晶質層の上に導電性層を形成するステップとを有することを特徴とする共振器の製造方法。

IPC (6件)：

H03H 3/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H03B 5/32 ,  H03H 9/17

FI (6件)：

H03H 3/02 B ,  H03B 5/32 Z ,  H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z