特許

J-GLOBAL ID：200903006507492677

マスク基板および描画方法

発明者： 松坂 尚 ,  河崎 勝浩 ,  河野 利彦 ,  太田 洋也 ,  鉾谷 義男 ,  法元 盛久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-158218
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】高精度で高品質な位相シフトマスクを実現し得るマスク基板及び位相シフトマスクの描画方法を提供する。【構成】一層目,二層目の高精度な位置決めを実行するためのマーク1,2を形成したマスク基板3と、このマスク基板3を用い、一層目の描画にはマスク基板3と偏向領域との回転補正を実行せず、二層目の描画のときだけ一層目との相対的回転補正を実行する描画方法。【効果】高精度で高品質な位相シフトマスクを容易に実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子製造に用いるマスク基板において、遮光膜に加工されたマスクパタ-ンと、前記マスクパタ-ンの特定の場所にマスク透過光の位相を変化させる位相シフタとを高精度に配置するため、電子ビ-ム用のマークを予め形成したことを特徴とするマスク基板。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W