特許

J-GLOBAL ID：200903006510910110

半導体リレー装置

発明者： 西川 英男 ,  野辺 武
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (3件)： 板谷 康夫 ,  田口 勝美 ,  水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316819
公開番号（公開出願番号）：特開2007-124518
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】MOSFETの半導体リレー装置を高温状態でも安定に動作して使用できるようにする。【解決手段】半導体リレー装置は、入力信号A1により発振する発振回路1と、発振信号A2を電磁信号に変換するインダクタ部2と、この出力B1を整流する整流回路3と、整流信号B2を充放電する充放電回路4と、充放電回路4によりスイッチングされる出力MOSFET5とを備える。インダクタ部2は、第1及び第2の各半導体チップ上にそれぞれ形成され互いに電磁結合する第1及び第2のインダクタL1、L2を有し、各チップはそれぞれリードフレームに固定されて積層される。この構成により、出力MOSFET5は、従来の発光素子の光信号に基く受光素子の起電力を用いず、発振回路1に基づく整流信号B2を用いてオン、オフされるので、高温状態でも安定に動作できるコンパクトな半導体リレー装置が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入力信号に応答して電子的に開閉する半導体リレー装置において、 前記入力信号により発振する発振回路と、 前記発振回路からの発振信号を電磁信号に変換させる第1のインダクタと、 前記第1のインダクタからの電磁信号を受けて電気信号を発生する第2のインダクタと、 前記第2のインダクタからの電気信号を整流する整流回路と、 前記整流回路により整流された電気信号を充放電する充放電回路と、 前記充放電回路の両端に発生する電位差によりオン、オフされる出力MOSFETと、を備え、 前記第1のインダクタと前記第2のインダクタは、第1の半導体チップ及び第2の半導体チップにそれぞれ形成され、これら第1の半導体チップと第2の半導体チップは、チップ固定用のリードフレーム上に互いに対向して配置されていることを特徴とする半導体リレー装置。

IPC (7件)：

H03K 17/687 ,  H03K 17/14 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H03K17/687 D ,  H03K17/14 ,  H01L27/04 L ,  H01L25/08 Z

Fターム (24件)：

5F038AZ04 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG04 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX15 ,  5J055BX16 ,  5J055CX21 ,  5J055DX22 ,  5J055EX07 ,  5J055EY05 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055EZ18 ,  5J055EZ28 ,  5J055FX12 ,  5J055FX17 ,  5J055FX35 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4268843号明細書