特許

J-GLOBAL ID：200903006511706436

フォトマスク及び露光方法

発明者： 渋谷 眞人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241324
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 偏光状態を制御して高いコントラストの像を得る。【構成】 領域Cには紙面横方向に配列されたラインアンドスペース(L/S)パターンが、領域Dには紙面縦方向に配列されたL/Sパターンが形成されており、一つおきのスペース部分(透明部)には位相シフト膜が設けられている。又、Eは正方形の孤立パターンである。領域DのL/Sパターン部分には1/2波長板に相当する偏光膜15が設けられ、Eの部分には1/4波長板に相当する偏光膜16が設けられている。領域CのL/Sパターンの辺と平行な方向に振動する直線偏光でマスクを照明し、ウエハ上にパターン像を投影露光する。

請求項（抜粋）：

投影転写すべきパターンが透明基板上に形成されたフォトマスクにおいて、前記透明基板の光透過部には、透過光の位相を変化させる位相シフト部材が所定の箇所に設けられと共に、前記パターンの配列方向に応じて所定の偏光状態の光のみを透過させる偏光部材が少なくとも一部に設けられたことを特徴とするフォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 L