特許
J-GLOBAL ID：200903006512844840
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮島 明
, 土屋 繁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-067151
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224538
出願日： 2008年03月17日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】化合物半導体素子と透光性封止材料との境界面における反射光を低減させて光取り出し効率を向上させ、高輝度化を実現すると共に、透光性封止材料を通過してくる空気中からの酸化性ガスや硫黄が電極面に到達するのを抑制し、電極面の変色等の劣化を防止して、より長寿命な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】電極上に化合物半導体素子を搭載した後、ワイヤーボンディング等を用いて化合物半導体素子を電気的に接続する。その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極上に化合物半導体素子が実装され、該化合物半導体素子の発光によって励起され蛍光を発する蛍光物質を含有した透光性封止材料を有する半導体発光装置であって、前記化合物半導体素子上、および、前記透光性封止材料側における前記電極上に前記化合物半導体素子が実装されている部分を除いて、透明薄膜層を有する半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F041DA02
, 5F041DA08
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA55
