特許
J-GLOBAL ID：200903006522913603
薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-297247
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123321
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 エッチング時のシャドウ効果を抑制して、薄膜磁気ヘッドの製造過程におけるエッチング残り等の不安定原因を除去し、薄膜磁気ヘッドの信頼性及び品質の向上を図る。【解決手段】 塗布されたフォトレジストに対してハードキュアを行うことにより導体膜間を絶縁する絶縁膜を形成する硬化工程の直前に上記フォトレジストに対して紫外光を照射する紫外光照射工程を行うことによって薄膜磁気ヘッド1を製造する。
請求項（抜粋）：
塗布されたフォトレジストに対してハードキュアを行うことにより導体膜間を絶縁する絶縁膜を形成する硬化工程を備える薄磁気ヘッドの製造方法において、上記硬化工程の直前に上記フォトレジストに対して紫外光を照射する紫外光照射工程が行われることを特徴とすると薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Fターム (4件)：
5D033BA41
, 5D033DA01
, 5D033DA08
, 5D033DA31
