特許

J-GLOBAL ID：200903006523368838

真空処理装置及び真空処理方法

発明者： 久保寺 正男 ,  河治 利幸 ,  成島 正樹
出願人/特許権者： テル・バリアン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132379
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの搬送手段の設計自由度を確保し、しかも真空処理前後の被処理体を正確に搬送、位置決めして信頼性の高い真空処理を行なう。【構成】 所定の真空処理を行なう、第1真空処理室11、第2真空処理室12及び第3真空処理室13と、各真空処理室11、12、13に気密を保持して連通可能で連設された移載室20と、この移載室20に連通可能に連設された第1予備真空処理室31及び第2予備真空処理室32と、各予備真空処理室31、32に連通可能に連設された一つのローダ室40とを備え、上記ローダ室40と上記各予備真空処理室31、32との間の半導体ウエハWの搬送を上記ローダ室40に設けられた第1移載装置41により大気圧に調整された窒素ガス中で行なうように構成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの真空処理室と、この真空処理室に気密を保持して連通可能で連設された移載室と、この移載室に連通可能に連設された少なくとも一つの予備真空処理室と、この予備真空処理室に連通可能に連設された少なくとも一つのローダ室とを備え、上記ローダ室と上記予備真空処理室との間の被処理体の搬送を上記ローダ室に設けられた移載装置により大気圧以上の圧力の気体中で行なうことを特徴とする真空処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  B65G 49/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-271139
  
• 特開平2-020040
  
• 特開平3-136345