特許

J-GLOBAL ID：200903006527035779

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 上田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357686
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176989
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 信頼できる不揮発性メモリーの電荷保持特性を有し、周辺回路と供給電源の低電圧化を可能とする不揮発性半導体記憶装置を得る。【解決手段】 第1導電型半導体基板の肩部分において、第2導電型不純物領域と浮遊ゲートとの間で第1ゲート絶縁膜を介して電子の輸送を行うことにより情報の書き込み又は消去を行う不揮発性半導体記憶装置を提供する。

請求項（抜粋）：

一方向に形成された複数の溝及び隣接する2つの溝の間に挟まれた基板凸部を有する第1導電型半導体基板と、前記基板凸部から両側の溝への遷移領域に形成された2つの肩部と、前記肩部のうち少なくとも何れかの肩部を包含するように前記基板凸部上に形成された第1ゲート絶縁膜と、前記肩部のうち少なくとも何れかの肩部を包含するように前記第1ゲート絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記肩部のうち少なくとも何れかの肩部の下及びその近傍の第1導電型半導体基板中に形成された第2導電型不純物領域と、前記浮遊ゲート上に形成された第1導電体層とから構成される不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (55件)：

5F001AA61 ,  5F001AB09 ,  5F001AC02 ,  5F001AC20 ,  5F001AC61 ,  5F001AD15 ,  5F001AD18 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF07 ,  5F001AG02 ,  5F001AG10 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG29 ,  5F001AH10 ,  5F083EP04 ,  5F083EP14 ,  5F083EP15 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA04 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR36 ,  5F101BA34 ,  5F101BB17 ,  5F101BC02 ,  5F101BC03 ,  5F101BC12 ,  5F101BD05 ,  5F101BD09 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BG10 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15