特許

J-GLOBAL ID：200903006528330960

半導体装置

発明者： 高橋 良和 ,  古閑 丈晴 ,  柿木 秀昭
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216947
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064270
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】複数個の半導体チップが集積された大容量のMOSデバイスにおいて、スイッチング時の半導体チップ間の相互干渉現象を防止し、電磁ノイズの放射を抑制する。【解決手段】コレクタ側共通電極板9上に位置決めガイド12でIGBTチップ1とフライホイールダイオードチップ4を位置決めし、はんだ等で固着し、MOS部2に形成されるエミッタ電極は集電電極3と接続され、ゲート電極はゲートパッド7と接続し、集電電極3はコンタクト端子体8と加圧接触し、コンタクト端子体8はエミッタ側共通電極板10と加圧接触し、コンタクト端子体8のエミッタ側共通電極板10に接触する側の周縁部に段差14を設け、この段差14部にパーマロイリング11を設置する。

請求項（抜粋）：

第一主面に第一主電極と制御電極、第二主面に第二主電極を有する半導体チップを複数個並置して平型パッケージに組み込んだ半導体装置であって、両面に露出する一対の共通電極板と、該両共通電極板の間に絶縁筒体を設けた平型パッケージに対し、一方の共通電極板上に各半導体チップの第二主電極を固着し、他方の共通電極板と各半導体チップの第一主電極との間に、個々に加圧・導電・放熱体を兼ねたコンタクト端子体を設けた加圧接触型の半導体装置において、各コンタクト端子体にリング状の強磁性体が設けられることを特徴とする半導体装置。