特許
J-GLOBAL ID：200903006529721998
電子部品におけるバンプ電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256546
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112212
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板1等における電極パッド2に対して、バンプ電極8を、低コストで、且つ、その直径を小さくした状態で形成する。【構成】 前記半導体基板1等の表面に、フォトレジスト膜4を、少なくとも前記電極パッド2の部分を覆うように形成し、次いで、このフォトレジスト膜4のうち前記電極パッド2の部分に抜き孔5を、フォトエッチングにて穿設したのち、この抜き孔5内に金属ペースト7を充填し、所定の温度に加熱・焼成したのち、前記フォトレジスト膜4を除去する。
請求項（抜粋）：
表面に電極パッドを形成した半導体基板又は回路基板等の表面に、フォトレジスト膜を、少なくとも前記電極パッドの部分を覆うように形成し、次いで、このフォトレジスト膜のうち前記電極パッドの部分に抜き孔を、フォトエッチングにて穿設したのち、この抜き孔内に金属ペーストを充填し、所定の温度に加熱・焼成したのち、前記フォトレジスト膜を除去することを特徴とする電子部品におけるバンプ電極の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
