特許

J-GLOBAL ID：200903006546933486

縦型MOSFETおよびその縦型MOSFETを形成する方法

発明者： バリガ,バントヴァル・ジェヤント
出願人/特許権者： シリコン・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (3件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-548313
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510880
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

縦型MOSFETは、複数の深いストライプ状トレンチによって分離された複数の半導体メサをその内部に有する半導体基板を含む。これらのストライプ状トレンチは、基板において平行に細長く第1の方向に延びる。複数の埋め込み絶縁ソース電極が、複数の深いストライプ状トレンチ内に形成される。また、複数の絶縁ゲート電極が提供され、その複数の絶縁ゲート電極は、複数の半導体メサにおいて平行に延び、複数の埋め込み絶縁ソース電極内に画定された浅いトレンチの内部へと延びる。表面ソース電極が、基板上に提供される。表面ソース電極は、それぞれの埋め込みソース電極の長手方向に沿った複数の箇所において、それぞれの埋め込みソース電極に電気的に接続され、これらの複数の接続は、有効ソース電極抵抗を減少させ、デバイスのスイッチング速度を向上させる。

請求項（抜粋）：

第1の方向に平行に細長く延びる複数の深いストライプ状トレンチによって分離された複数の半導体メサをその内部に有する半導体基板と、 該複数のストライプ状トレンチ内に存在する複数の埋め込み絶縁ソース電極と、 前記複数の半導体メサを横切って平行に延び、該複数の埋め込み絶縁ソース電極内に画定された浅いトレンチ内へと延びる複数の絶縁ゲート電極と を含んでなる縦型MOSFET。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (7件)：

H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F