特許
J-GLOBAL ID：200903006550898687
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-150528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003364
出願日： 1991年06月21日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 0.98μm帯で発振し、光ファイバとの結合効率の良い高出力半導体レーザを提供する。【構成】 活性層6を光閉込め層5と7で挾み、さらに光閉込め層5と7をガイド層4と8で挾み、これらガイド層4と8をクラッド層3と9で挾んだ構造とする。これらガイド層4と8により、しきい値の上昇ならびに微分効率の低下を招くことなく、光フィールド分布を広げ、レーザ特性として垂直横放射角を低減し、かつ横モード安定化のためにリッジ幅を狭小化する際の最大光出力の低下が押さえられる。
請求項（抜粋）：
In<SB>y</SB> Ga<SB>1-y</SB> As(0<y<0.5)単一量子井戸層からなる活性層と、該活性層を挾むように配置されたAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> Asからなる第1および第2クラッド層と、前記活性層と前記第1および第2クラッド層との間にそれぞれ配置されたAl<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB> As(0<w<x)からなる第1および第2光閉込め層とを有する半導体レーザにおいて、前記第1クラッド層と前記第1光閉込め層との間、および前記第2クラッド層と前記第2光閉込め層との間の少なくとも一方にAl<SB>z</SB> Ga<SB>1-z</SB> Asガイド層(w<z<x)を配置したことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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