特許

J-GLOBAL ID：200903006554761627

ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法

発明者： 梁 正煥
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-339572
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159362
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンボディーと、シリコンボディー上で延びる3面よりなるチャンネル領域とを含む非平面トランジスタ。チャンネル領域は、ゲルマニウム層で構成される。チャンネル領域は、前記基板の主面と垂直をなす面方向に沿ってそれぞれ延びている第1チャンネル領域及び第2チャンネル領域を含む。ゲルマニウムチャンネル領域を形成するために基板上にメサ型活性領域を形成した後、活性領域の両側壁及び上面を覆うゲルマニウム層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されており、両側壁及び上面を有するシリコンボディーと、 前記シリコンボディー上で延びる3面よりなり、前記シリコンボディーより大きいキャリア移動度を提供する物質よりなるチャンネル領域と、 前記チャンネル領域上に形成されたゲートと、 前記チャンネル領域と前記ゲートとの間に介在しているゲート絶縁膜と、 前記シリコンボディーで前記チャンネル領域の両側に形成されたソース/ドレイン領域と、を含むことを特徴とする非平面トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L29/41

FI (7件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/44 S

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6,413,802号公報
  
• 米国特許第6,642,090号公報
  
• 米国特許公開第2003-0102497号公報