炭化珪素単結晶及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158697
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素単結晶に存在しているマイクロパイプ欠陥を炭化珪素単結晶の内部で閉塞させる。【解決手段】基板結晶1を用意し、マイクロパイプ欠陥6の開口部を被覆材料5で被覆する。そして、熱処理を施すと、基板結晶1に存在するマイクロパイプ欠陥6を基板結晶1の内部で閉塞させることができる。この後、被覆材料5を除去した後、基板結晶1を種結晶として炭化珪素単結晶を成長させ、この成長させた炭化珪素単結晶を再度基板結晶1として、基板結晶1を被覆材料5で覆い、熱処理による閉塞工程を繰り返す。マイクロパイプ欠陥が閉塞した基板結晶を種結晶として炭化珪素単結晶を成長させた場合、閉塞された部分ではマイクロパイプ欠陥が継承されないため、成長させた炭化珪素単結晶を再度基板結晶1として閉塞工程を行えば、よりマイクロパイプ欠陥を閉塞することができる。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥(6)を有する炭化珪素単結晶からなる基板結晶(1)を用意する工程と、前記基板結晶に形成された前記マイクロパイプ欠陥の開口部の少なくとも一方を被覆材料(5)で被覆する被覆工程と、熱処理を施すことにより、前記基板結晶に存在する前記マイクロパイプ欠陥を前記基板結晶の内部で閉塞させ、前記マイクロパイプ欠陥の少なくとも一部を閉塞孔(7)にする閉塞工程と、前記マイクロパイプ欠陥の一部が閉塞孔となった前記基板結晶の前記被覆材料を除去したのち、該基板結晶を種結晶として炭化珪素単結晶を成長させる成長工程とを含み、前記成長させた炭化珪素単結晶を再度基板結晶として、前記被覆工程、前記閉塞工程及び成長工程を少なくとも一回繰り返し、該基板結晶に形成されているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (3件)：

C30B 29/36 A , H01L 21/205 , H01L 21/324 X

Fターム (13件)：

4G077AA10 , 4G077BE08 , 4G077DA01 , 4G077DB01 , 4G077ED01 , 4G077FE07 , 4G077FE11 , 4G077FE19 , 5F045AB06 , 5F045AF02 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045HA16

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