特許
J-GLOBAL ID：200903006571224236
半導体レーザモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147152
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333470
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【構成】金属ケース8と、金属ケース8内部の底面上にはんだ付けされたペルチェ効果素子7とを含む半導体レーザモジュールにおいて、金属ケース8内面におけるペルチェ効果素子7の実装領域が、隣接する領域よりも隆起している。
請求項（抜粋）：
金属ケースと、該金属ケース内部の底面上にはんだ付けされたペルチェ効果素子とを含む半導体レーザモジュールにおいて、該金属ケース内面における該ペルチェ効果素子の実装領域が、該実装領域に隣接する領域よりも隆起していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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