特許

J-GLOBAL ID：200903006573618665

成膜方法及び成膜物

発明者： 植田 充紀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148906
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340166
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 プラスチック等の有機物からなる基材上に無機物薄膜を形成した場合にも、高い密着強度が得られるようにする。【解決手段】 有機物からなる基材2の上に無機物薄膜22を成膜する際に、先ず、無機物をイオン化させたプラズマ中で基材2に電圧を印加してイオン注入を行い、無機物イオンが注入されてなるイオン注入層21を基材2の表面に形成する。その後、イオン注入層21の上に無機物薄膜22を成膜する。

請求項（抜粋）：

有機物からなる基材上に薄膜を成膜する際に、無機物をイオン化させたプラズマ中で上記基材に電圧を印加してイオン注入を行い、無機物イオンが注入されてなるイオン注入層を上記基材の表面に形成し、上記イオン注入層の上に、無機物からなる薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48

FI (3件)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 37/317 E ,  C23C 14/48 Z

Fターム (22件)：

4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA34 ,  4K029BA35 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029EA09 ,  5C034CC01 ,  5C034CC07