特許
J-GLOBAL ID：200903006583931710
炭素被膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280012
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、高エネルギーの炭素イオンビームを安定的に基体に照射することができ、従って基体に対して優れた付着強度を有する炭素被膜を形成することができる炭素被膜の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明は、炭素イオンビームにより炭素被膜を製造する方法において、炭素被膜の形成に先立ち予め炭素プラズマが形成されるプラズマ室を酸素プラズマでアッシングすることによる炭素被膜の製造方法である。【効果】 本発明は、高エネルギーの炭素イオンビームを安定的に基体に照射することができ、従って基体に対して優れた付着強度を有する炭素被膜を形成することを可能にする。すなわち、本発明の製造方法により形成した炭素膜は、高硬度、耐摩耗性、ガスや水分の非透過性などの優れた特性を維持しつつ、基体との密着性にも優れたものとなる。
請求項（抜粋）：
炭素イオンビームにより炭素被膜を製造する方法において、炭素被膜の形成に先立ち予め炭素プラズマが形成されるプラズマ室を酸素プラズマでアッシングすることを特徴とする炭素被膜の製造方法。
IPC (2件)：
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