特許

J-GLOBAL ID：200903006586086980

半導体素子とその製造方法

発明者： ラッファエレ・ザンブラーノ
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289873
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124410
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 MOSプロセス等によって形成された電子素子を備え、集積電子素子への集積可能性を高めることによって、強誘電性素子のための従来形のコンタクトに伴う制約および/または問題点を克服するような構造上および機能的な特徴を有する集積回路に容易に集積できるコンタクトを提供することにある。【解決手段】 少なくとも1つのMOS素子(3;30)と、少なくとも1つのコンデンサ素子(4;40)とを備えた、半導体層上に集積された半導体素子のためのコンタクト構造であって、コンタクト(20;200)が半導体層の少なくとも一部の上層の絶縁層(12;120)形成された開口部(10,11,101,110)に設けられ、該開口部は金属層(18;180)で被覆された表面エッジ、壁および底部を有し、絶縁層(19;190)で充填されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのMOS素子(3;30)と、少なくとも1つのコンデンサ素子(4;40)と、を備える半導体層上に集積された半導体素子のためのコンタクト構造であって、前記コンタクト(20;200)は、前記半導体層の少なくとも一部の上層の絶縁層(12;120)内に設けられた開口部(10,11,101,110)に形成されており、前記開口部は金属層(18;180)で被覆された表面エッジ、壁および底部を有し、絶縁層(19;190)で充填されていることを特徴とするコンタクト構造。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651