特許
J-GLOBAL ID:200903006586257602

ビスシクロペンタジエニルジエン錯体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 斉藤 武彦 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-506526
公開番号(公開出願番号):特表平10-503517
出願日: 1995年07月14日
公開日(公表日): 1998年03月31日
要約:
【要約】ビスシクロペンタジエニル第4族遷移金属錯体が、ビスシクロペンタジエニル第4族金属ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、又はアミド錯体を共役ジエンと接触させることによって生成される。独特に、ansa-ラセミ体ジアステレオマーが選択的に分離され、所望ならばハライド形に再転化されうる。標準活性化用共触媒と組合せたとき又は活性化技術により活性化させたとき、錯体はオレフィン、ジオレフィン及び/又はアセチレン性不飽和モノマーの重合用の触媒を形成する。
請求項(抜粋):
式 但し、Mは+2又は+4形式酸化状態のチタン、ジルコニウム又はハフニウムであり; R′及びR′′はそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロゲンおよびそれらの組合せからなる群からえらばれ、該R′及びR′′はそれぞれ20以下の非水素原子をもち、あるいは隣接R′基及び/又は隣接R′′基(R′とR′′が水素、ハロゲン又はシアノでないとき)は一緒になって2価誘導体を形成し、それによって縮合環を形成する; Eはケイ素、ゲルマニウム又は水素であり; xは1-8の整数であり; R'"はそれぞれの場合独立に水素またはシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ及びそれらの組合せから選ばれた基であるか、あるいは2個のR'"基は一緒になって環系を形成し、該R'"は30以下の炭素またはケイ素原子をもつ;そして Dは安定な共役ジエンであり、任意に1以上のヒドロカルビル基,シリル基、ヒドロカルビルシリル基、シリルヒドロカルビル基又はそれらの混合物で置換されており、該Dは4-40の非水素原子をもつ; に相当することを特徴とする金属錯体。
IPC (5件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/642 ,  C08F 10/00 ,  C08F 36/02 ,  C08F 38/00
FI (5件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/642 ,  C08F 10/00 ,  C08F 36/02 ,  C08F 38/00
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 遷移金属化合物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-145881   出願人:ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
  • 特表平1-501950
  • 特表平1-502036
審査官引用 (5件)
  • 遷移金属化合物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-145881   出願人:ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
  • 特表平1-501950
  • 特表平1-502036
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引用文献:
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