特許
J-GLOBAL ID：200903006586313758
半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298116
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139550
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 歩留り良く製造することが可能な、窓構造を備えた半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】 SiN膜12上の不純物拡散領域10に対して垂直なストライプ形状の領域上と,不純物拡散領域10のバンド不連続緩和層8上とに有機レジスト膜15を形成し、該有機レジスト膜15をマスクとして、SiN膜12と、GaAsキャップ層11と、バンド不連続緩和層8とを選択的に除去した後、上記有機レジスト膜15を除去し、上記有機レジスト膜15の下部に除去されずに残されたSiN膜12をマスクとして第2クラッド層7を硫酸系エッチャントを用いたエッチングによりバンド不連続緩和層8に対して選択的にエッチングしてリッジ構造16を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層、超格子構造を有する活性層、第2導電型第1クラッド層、第2導電型エッチングストッパ層、及び第2導電型第2クラッド層を順次結晶成長させる工程と、上記活性層の、平面形状がストライプ形状である相互に平行な2つの領域を、不純物を拡散させてディスオーダする工程と、該2つのディスオーダされた領域上のエッチングストッパ層が露出しないように、上記エッチングストッパ層が露出するまで上記第2導電型第2クラッド層をエッチングによりパターニングして、上記2つのディスオーダされた領域に対して垂直な方向に伸びるストライプ形状の第2導電型第2クラッド層からなるリッジ構造を形成する工程と、上記リッジ構造を埋め込むように、上記エッチングストッパ層の露出面上,及び上記2つのディスオーダされた領域上に、電流ブロック層を結晶成長させる工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/308 C
