特許
J-GLOBAL ID:200903006586998092

保護回路及びこれを搭載した半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-113065
公開番号(公開出願番号):特開2001-298157
出願日: 2000年04月14日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】電源電力の供給路を各回路毎に独立させた複数の回路を組み合せて所望の信号処理を行う構成の回路を、少ない数の保護素子で、外来の異常高電圧から確実に保護することができる。【解決手段】外部から電源電力を受け取るための独立した電源端子及びグランド端子の対(1Aと2A,1Bと2B,1Cと2C)と、電源端子とグランド端子との間に設けられた電源・グランド間保護素子6A,6B,6Cとを少なくとも有する複数の回路A,B,Cの内、回路間が信号線9AB,9ACで結ばれている回路の組合せ(回路AとB及び回路AとC)に限って、電源端子どうし(端子1Aと1B及び端子1Aと1C)の間及び、グランド端子どうし(端子2Aと2B及び端子2Aと2C)の間に電源間保護素子7AB,7CA及びグランド間保護素子8AB,8CAを設ける。
請求項(抜粋):
外部から電源電力を受け取るための独立した高位電源端子及び低位電源端子の対と、前記高位電源端子と低位電源端子との間に設けられて、所定の値以上の電圧が加わったときインピーダンスが低下して前記高位電源端子と低位電源端子とを低インピーダンスで接続する高位・低位電源間保護素子とを少なくとも有する複数の回路に対し、回路間の高位電源端子どうしの間及び低位電源端子どうしの間に、所定の値以上の電圧が加わったときインピーダンスが低下して、前記高位電源端子どうしの間又は前記低位電源端子どうしの間を低インピーダンスで接続する高位電源間保護素子及び低位電源間保護素子を設けた保護回路において、前記複数の回路に、回路間が信号線で結ばれていない回路の組合せが有るとき、前記高位電源間保護素子及び低位電源間保護素子を、回路間が信号線で結ばれている回路の組合せに限って、設けたことを特徴とする保護回路。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 D
Fターム (10件):
5F038BE09 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA07 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038EZ20

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