特許

J-GLOBAL ID：200903006587037770

プラズマ処理装置

発明者： 東 和文 ,  中田 行彦 ,  岡本 哲也 ,  後藤 真志 ,  白井 肇
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (1件)： 松永 宣行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291065
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128257
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】非減圧環境においてもプラズマを生じさせることができるプラズマ処理装置を提供すること。また、比較的大きな面積を有する基板の全面に均一にプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、高周波電力を発生させるための電力発生手段(12)と、電力発生手段に電気的に接続された少なくとも1つの電極であってプラズマ用ガスが導入される空間(18)と該空間に連なる先細の開口先端部(16)とを有する少なくとも1つの電極(14)とを含む。他のプラズマ処理装置は、さらに、複数の電極(38)を支持する導電性部材であって電力発生手段と電極とに電気的に接続され、また、電極に導入されるプラズマ用ガスを受け入れるための受け入れ空間を有する導電性部材(60)を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理物にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させるための電力発生手段と、前記電力発生手段に電気的に接続された少なくとも1つの電極であってプラズマ用ガスが導入される空間と該空間に連なる先細の開口先端部とを有する少なくとも1つの電極とを含む、プラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

FI (6件)：

H01L21/31 C ,  B01J19/08 E ,  C23C16/505 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 A ,  H01L21/302 101E

Fターム (38件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075CA18 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FA08 ,  4G075FC11 ,  4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD07 ,  5F004CA03 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045BB01 ,  5F045EE04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12