特許

J-GLOBAL ID：200903006588898044

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 武久 究
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025890
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223408
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 低ランニングコストで、スペックルノイズが抑制された露光機を提供する。【解決手段】波長193nmのシード光L1は、ビーム幅拡大器5を通ることで、断面が上下方向に引き延ばされた後、階段状の透過性部材7に入射する。透過性部材7を出射したレーザ光L4は、ArFエキシマレーザ4に注入し、露光機本体2に進み、露光に使用される。

請求項（抜粋）：

波長変換を用いたレーザ光発生手段と、前記レーザ光発生手段で生じた光をシード光とする注入同期型のArFエキシマレーザとを有する半導体製造装置であって、前記レーザ光発生手段と前記ArFエキシマレーザとの間の光路に透光性部材が配置され、前記透光性部材内の前記シード光は、そのビーム面内において通過距離が相違することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01S 3/225 ,  H01S 3/23

FI (5件)：

H01L 21/30 515 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 D ,  H01S 3/223 E ,  H01S 3/23 Z

Fターム (23件)：

5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA05 ,  5F046CA08 ,  5F046CB01 ,  5F046CB22 ,  5F071AA06 ,  5F071JJ08 ,  5F071JJ10 ,  5F072AA06 ,  5F072AB02 ,  5F072AB20 ,  5F072FF09 ,  5F072JJ03 ,  5F072JJ08 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK05 ,  5F072KK12 ,  5F072KK30 ,  5F072PP03 ,  5F072RR05 ,  5F072YY09