特許

J-GLOBAL ID：200903006589340748

半導体メモリ装置

発明者： 畠山 淳
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041680
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242669
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】複数個のメモリチップを搭載して大容量化を図ると共に、1個当たりの高集積大容量化を達成した次世代品との互換性を確保することを目的とする。【構成】パッケージ1内に記憶容量xのメモリチップ2を複数個収納する半導体メモリ装置であって、前記xを表現するのに必要なアドレスビット数をyとするとき、該yビットよりも上位側の1ビットまたは複数ビットをデータとして取込み、該データと、該データと同一ビット数の所定の識別データとを照合してメモリチップの動作を許容若しくは禁止する動作制御手段3を、前記複数個のメモリチップごとに具備し、且つ、前記識別データの内容をメモリチップごとに異ならせたことを特徴とする。 なお、手段3はメモリチップ2上に搭載しても構わない。

請求項（抜粋）：

パッケージ(1)内に記憶容量xのメモリチップ(2)を複数個収納する半導体メモリ装置であって、前記xを表現するのに必要なアドレスビット数をyとするとき、該yビットよりも上位側の1ビットまたは複数ビットをデータとして取込み、該データと、該データと同一ビット数の所定の識別データとを照合してメモリチップの動作を許容若しくは禁止する動作制御手段(3)を、前記複数個のメモリチップごとに具備し、且つ、前記識別データの内容をメモリチップごとに異ならせたことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/408

FI (2件)：

G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 354 B