光電変換装置と半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007329
公開番号（公開出願番号）：特開平9-200629
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 CMOSエリアセンサーにおいて、そのエリア内の1部分だけの画像信号をブロック的に読み出せることを課題とする。【解決手段】 2次元のセンサー画素と、当該センサー画素の画素信号を転送する転送回路と、当該転送された画素信号を記録する2次元のメモリ画素とを備えた増幅型の光電変換装置において、前記センサー画素又は前記メモリ画素の少なくとも一方に、書き込み用又はリセット用のスイッチを2個設け、片方を垂直選択回路、もう一方を水平選択回路で制御することを特徴とする。また、ラインセンサー画素と当該ラインセンサーの画素を転送する転送回路と、当該転送回路の出力を記録する少なくとも前記ラインセンサー画素と同数の画素数のメモリ画素とを備えた光電変換装置において、前記ラインセンサー画素又は前記メモリ画素の少なくとも一方に、書き込み用又はリセット用のスイッチを設け所定数の画素の選択回路で制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2次元のセンサー画素と、当該センサー画素の画素信号を転送する転送回路と、当該転送された画素信号を記録する2次元のメモリ画素とを備えた増幅型の光電変換装置において、前記センサー画素又は前記メモリ画素の少なくとも一方に、リセット用又は書き込み用のスイッチを2個設け、片方を垂直選択回路、もう一方を水平選択回路で制御することを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (3件)：

H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 31/10 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭58-125982
特開平2-065380
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-287854 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (3件)

特開平4-373273
特開平4-373273
画像読取装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-183409 出願人：リコーエレメツクス株式会社

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