特許
J-GLOBAL ID：200903006590187546

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田中 秀明

田中 秀明 について

, 
星 正勝

星 正勝 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215432
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031808
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 信頼性が高く、且つ安定した耐圧を有するゲート構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体単結晶からなるn-型エピ層3の表面に、不純物がイオン注入により高濃度に導入されて活性化されてなるn+型ソース領域5が形成され、このn+型ソース領域5を含むn-型エピ層3の表面上にゲート絶縁膜6が形成され、このゲート絶縁膜6におけるのn+型ソース領域5上に位置する端部6Aの膜厚が、ゲート絶縁膜6における他の部分の膜厚より厚く設定されている。このため、ゲート絶縁膜6の端部6Aの耐圧が高くなり、半導体装置1の信頼性を向上できる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶からなる半導体基板に、不純物がイオン注入により導入されて活性化されてなる高濃度不純物領域が形成され、且つ前記高濃度不純物領域を含む前記半導体基板上にゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜における前記高濃度不純物領域の上に位置する部分の膜厚が、該ゲート絶縁膜における他の部分の膜厚より厚く設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 658 D ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 Z
Fターム (27件)：
5F140AA19 ,  5F140AA30 ,  5F140AC02 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BB02 ,  5F140BB06 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD18 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BG05 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM