特許

J-GLOBAL ID：200903006591648601

半導体装置の製造方法

発明者： 嶋貫 好彦 ,  小林 昇市
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立米沢電子株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380048
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184795
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 外観品質の向上および低コスト化を図る。【解決手段】 樹脂封止後、封止部3の裏面3aのリード1aにレーザを照射してリード1a上のレジンバリ8を除去してリード1aの被接続面1gを露出させることにより、QFNの外観品質の向上と低コスト化を図る。

請求項（抜粋）：

半導体チップを支持可能なチップ支持部材のチップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記チップ支持部材の端子とを接続部材によって接続する工程と、前記半導体チップを樹脂モールドして封止部または前記チップ支持部材の半導体装置実装側の面に複数の外部端子または外部端子搭載電極が配置されるように前記封止部を形成する工程と、前記封止部の前記半導体装置実装側の面の前記外部端子または外部端子搭載電極にレーザを照射して前記外部端子または外部端子搭載電極上の被覆樹脂を除去して前記外部端子または外部端子搭載電極を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/00 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/56 D ,  H01L 23/00 A ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W

Fターム (4件)：

5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061EA14 ,  5F061GA01