特許
J-GLOBAL ID：200903006592770893
単結晶製造装置、単結晶製造方法および単結晶
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192777
公開番号（公開出願番号）：特開2008-019128
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】引き上げ時におけるシリコン融液の対流を制御することができ、シリコン融液の残液量に依存する単結晶の品質差を小さくできる単結晶製造装置を実現する。【解決手段】シリコン融液4の表面4aとルツボの底面との距離とされる深さLaが鉛直方向距離Lbを超えている際に、シリコン融液4において、育成される単結晶3の品質に影響を及ぼす固液界面直下の対流範囲が距離Lb以内となるように、ルツボ底面と略平行な板状体である対流制御部材35が、ルツボの底面と固液界面との間に位置可能として設けられる単結晶製造装置30とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ルツボに収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げながら成長させる単結晶製造装置であって、
前記シリコン融液の表面と前記ルツボの底面との距離とされる深さLaが鉛直方向距離Lbを超えている際に、前記シリコン融液において、育成される単結晶の品質に影響を及ぼす固液界面直下の対流範囲が前記距離Lb以内となるように、前記ルツボ底面と略平行な板状体である対流制御部材が、前記ルツボの底面と前記固液界面との間に位置可能として設けられることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B29/06 502D
, C30B29/06 502G
, C30B15/20
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG01
, 4G077EG25
, 4G077EJ02
, 4G077HA12
, 4G077PA08
, 4G077PF42
, 4G077PF43
, 4G077RA03
