特許

J-GLOBAL ID：200903006596941684

薄膜の製造方法およびその製造装置

発明者： 西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024733
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211644
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法において、反応室内に原料を安定的に供給することで、CVD反応を安定させて均質な薄膜形成を図る。【構成】 気相成長法に用いる原料を揮発性の溶媒に溶解して溶液81a,81b を生成し、反応室11中に各溶液81a,81b を供給して揮発させ、揮発した溶液81a,81b中の原料を気相成長反応させることで試料91の表面に薄膜92を形成する。上記薄膜92を形成する製造装置は、反応室11を備え、気相成長反応に用いる原料を含む溶液81a,81b を供給する溶液供給機21a,21b を備えている。反応室11内における溶液供給機21a,21b の供給端26a,26b の下方側には加熱器31が設けられ、それにほぼ対向する位置には試料保持器41が設けられている。また、複数の溶液供給機を備えるとともに、その数にあわせて加熱器を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

気相成長法によって反応室内の試料表面に薄膜を形成する薄膜の製造方法において、気相成長法に用いる原料を溶媒に溶解して当該原料を含む溶液を生成し、前記反応室内に前記溶液を供給して気化させ、気化させた溶液中の原料を気相成長反応させることで、前記試料表面に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。