特許
J-GLOBAL ID：200903006597907285
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083899
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】オン電圧,逆回復電荷がともに小さく、しかも漏れ電流が小さい半導体装置及び製造方法を提供することを目的とする。【構成】pエミッタ層24内に、高濃度部分11及び低ライフタイム領域12を設ける。【効果】高濃度部分11により導通状態においてpn接合付近のキャリア濃度が高くなりオン電圧が減少する。また、低ライフタイム領域12により、nベース層23のキャリア濃度が低減するとともに、ターンオフ時にpエミッタ層24内のキャリアが速やかに減少するので、逆回復電荷が小さくなる。
請求項（抜粋）：
互いに反対側に位置する第1及び第2の主表面と、第1の主表面に隣接する一方導電型の第1の層と、第1の層に隣接し第1の層より低不純物濃度の他方導電型の第2の層と、を備え、第1の層内に、第1の層の他の部分より高不純物濃度の領域と、ライフタイムが第1の層の他の部分より短い領域と、を設けることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/74 E
, H01L 29/74 F
