特許

J-GLOBAL ID：200903006602706625

電気的書き込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐藤 敏哉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217389
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 フラッシュメモリの自動消去及び自動ページプログラムに要する時間の短縮を図ることを目的とする。【構成】 任意モード設定の際にある1つのアドレス情報により、同時にビット線を複数本選択する手段と、出力ビット数より多い数のセンスアンプ又は書き込み回路を備え、1つのアドレス情報により同時に選択されたビット線とセンスアンプ又は書き込み回路を接続する構成を有する。これにより、1つのアドレス情報で多数のメモリセルに蓄えられた情報を同時に読みだすこと、又は1つのアドレス情報により同時に多数のメモリセルに書き込みを行なうことが可能で、自動消去及び自動ページプログラムに要する時間を短縮することが可能であり、同時にバーストモードを持たせることも可能である。

請求項（抜粋）：

電気的書き込み消去可能で、消去モードの際、消去を行なおうとするメモリセルトランジスタを事前にプログラムする書き込み動作と、消去動作と、前記書き込み及び/又は前記消去の確認としての読みだし動作を行なう自動消去機能を有するフラッシュ型の不揮発性半導体記憶装置において、特定のアドレス情報により同時にビット線を複数本選択する手段を有し、出力ビット数よりも多い数のセンスアンプを有し、前記消去確認としての読みだし動作を行なう際に前記特定のアドレス情報で複数本選択されたビット線とセンスアンプを一対一に接続し、前記センスアンプと同数のメモリセルの確認を同時に行なう手段を有することを特徴とする電気的書き込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置。