特許
J-GLOBAL ID：200903006608538180
半導体発光素子の溝形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104529
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体発光素子の溝をなだらかな肩を有する溝として形成する。【構成】 積層体20上に、ポジ型ホトレジストで、第1開口部44を画成する第1エッチングマスク42を形成する。次に、ブロムメタノ-ル用いて、積層体20に対してエッチングを行い、第1の溝36を形成する。次に、第1エッチングマスク42に対してホトリソグラフィを行って第1開口部44を拡大して第2開口部とし、残存する第1エッチングマスクで第2エッチングマスク46を形成する。この第2開口部を介して再び積層体20をブロムメタノ-ルで軽くエッチングすると、滑らかな肩48を持つ溝40を得る。
請求項（抜粋）：
溝形成予定領域の面積より小さな開口面積の第1開口部を画成する第1エッチングマスクを用いて積層体をエッチングして該積層体に第1の溝を形成した後、該第1の溝の肩を露出する開口面積の第2開口部を画成する第2エッチングマスクを用いて前記積層体をさらにエッチングして半導体発光素子の溝を形成するにあたり、前記第1エッチングマスクとして、ポジ型ホトレジストを用い、前記第2エッチングマスクを、該ポジ型ホトレジストに対してホトリソグラフィを行って形成することを特徴とする半導体発光素子の溝形成方法
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
