半導体パッケージの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326847
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】基板10から突出して形成された環状のダム枠11と、ダム枠11の環の内側に形成され、金メッキ層16を表面に有するボンディング回路12と、ダム枠11の環の外側に形成された環外側回路14と、金メッキ層17を表面に有するコンタクト回路13と、円筒状のスルホールメッキ皮膜15とを備える半導体パッケージの製造方法であって、熱サイクル信頼性が優れた半導体パッケージが得られると共に、環外側回路34の部分が、ダム枠31の高さより高くなりにくい半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】スルホールメッキ皮膜15の内側の空洞部に、固形物18を充填する工程と、基板10の一方の面をマスクした後、コンタクト回路用導体22の表面に金メッキ層17を形成する工程と、基板10の他方の面をマスクした後、ボンディング回路用導体21の表面に第一の金メッキ層16を形成する工程を有する。

請求項（抜粋）：

基板(10)の一方の面に突出して形成された環状のダム枠(11)と、基板(10)のその一方の面のうち、ダム枠(11)の環の内側に形成され、ボンディングワイヤーと接着を予定する第一の金メッキ層(16)を表面に有するボンディング回路(12)と、基板(10)のその一方の面のうち、ダム枠(11)の環の外側に形成された環外側回路(14)と、基板(10)の他方の面に形成され、電子機器のコネクタ手段に接触させて、電気的に接続を予定する第二の金メッキ層(17)を表面に有するコンタクト回路(13)と、基板(10)を貫通して形成され、ボンディング回路(12)とコンタクト回路(13)を電気的に接続する円筒状のスルホールメッキ皮膜(15)と、を備える半導体パッケージの製造方法であって、下記の[ア]並びに[イ]の工程を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。[ア]スルホールメッキ皮膜(15)の内側の空洞部に、固形物(18)を充填する工程と、[イ]コンタクト回路の一部となる導体(22)が露出するように基板(10)の上記一方の面をマスクした後、コンタクト回路の一部となる導体(22)の表面に第二の金メッキ層(17)を形成して、コンタクト回路(13)を形成する工程、及び、ボンディング回路の一部となる導体(21)が露出するように基板(10)の上記他方の面をマスクした後、ボンディング回路の一部となる導体(21)の表面に第一の金メッキ層(16)を形成して、ボンディング回路(12)を形成する工程。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/12 W , H01L 21/56 E , H01L 23/28 C

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