特許

J-GLOBAL ID：200903006617400280

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤井 卓也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347345
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183230
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、縦型超格子構造、量子細線構造を有する化合物半導体装置及びその製造方法に関し、InP結晶基板上に縦型超格子構造、或いは量子細線構造を形成した化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】InP傾斜結晶基板1上にInPバッファ層2が形成され、その上にInGaAsバッファ層3が形成されている。InGaAsバッファ層3表面には、単分子ステップ5が形成され、各単分子ステップ5上には、GaAs層7と、InAs層6とが交互に形成されている。各単分子ステップ5上に形成されたGaAs層7及びInAs層6上にもGaAs層7及びInAs層6が形成されている。下層のGaAs層7及びInAs層6と上層のGaAs層7及びInAs層6とが交互に形成されており、量子細線構造が形成されているように構成する。

請求項（抜粋）：

InP結晶傾斜基板と、前記InP結晶傾斜基板表面の単分子ステップ上に、前記単分子ステップのステップ周期方向に交互に成長させた、バンドギャップの互いに異なる2種の化合物半導体結晶とを有し、縦型超格子構造又は量子細線構造が形成された化合物半導体装置において、前記2種の化合物半導体結晶は、第1の組成比XのInX Ga1-X As(0≦X≦1)結晶と、第2の組成比YのInY Ga1-Y As(0≦Y≦1)結晶とであることを特徴とする化合物半導体装置。