特許

J-GLOBAL ID：200903006627965153

エレクトロルミネッセント材料、半導体エレクトロルミネッセント装置及びそれらの製造方法

発明者： サルバトーレ ユーゴ カンピサーノ ,  サルバトーレ ロンバルド ,  ジュセッペ フェルラ ,  アルベルト ポルマン ,  ジェルラス ニコラース ファン デン ホーベン
出願人/特許権者： コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ ミクロエレットロニカ ネル メツォジョルノ
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279690
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221346
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的はエレクトロルミネッセント材料をベースとするシリコン、従来技術で生じていた問題点を解決する半導体装置を提供することである。【構成】 エレクトロルミネッセント材料及び半導体エレクトロルミネッセント装置は室温発光するように希土類元素イオンがドーピングされた酸化シリコンの混合によって形成される混合物層(3)を含む。エレクトロルミネッセントは希土類元素イオンによるものである。元素周期表のV族又はIII 族をもつインプレントはPN接合(3,4)に付与する。得られる構成は400〜1100°Cのレンジで熱処理を条件とする。

請求項（抜粋）：

シリコンと希土類元素イオンでドーピングされた酸化シリコンの混合によって形成される混合物(43)を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセント材料。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/265 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/18