特許
J-GLOBAL ID:200903006630935842

ケイ素酸化物被膜

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-142405
公開番号(公開出願番号):特開2002-331606
出願日: 2001年05月11日
公開日(公表日): 2002年11月19日
要約:
【要約】【課題】 ガス遮断性(ガスバリアー性)に特に優れており、従来のものに比して小さい膜厚で優れたガス遮断性を達成できると共に、形成される被膜が柔軟性及び可撓性に優れており、生産性にも優れているケイ素酸化物被膜を提供するにある。【解決手段】 プラスチック基材の表面に形成されたケイ素酸化物被膜において、ケイ素酸化物被膜が赤外線吸収スペクトルにおいて波数1215乃至1250cm-1に吸収ピークを有し且つ前記被膜が表面粗さ(JlS B0601)において25nm未満の十点平均粗さ(Rz)及び10nm未満の中心線平均粗さ(Ra)を有することを特徴とするケイ素酸化物被膜。
請求項(抜粋):
プラスチック基材の表面に形成されたケイ素酸化物被膜において、ケイ素酸化物被膜が赤外線吸収スペクトルにおいて波数1215乃至1250cm-1に吸収ピークを有し且つ前記被膜が表面粗さ(JlS B0601)において25nm未満の十点平均粗さ(Rz)及び10nm未満の中心線平均粗さ(Ra)を有することを特徴とするケイ素酸化物被膜。
IPC (2件):
B32B 9/00 ,  B65D 65/40
FI (2件):
B32B 9/00 A ,  B65D 65/40 D
Fターム (19件):
3E086BA04 ,  3E086BA13 ,  3E086BA15 ,  3E086BB01 ,  3E086BB24 ,  4F100AA20B ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100BA02 ,  4F100DD07B ,  4F100EH66 ,  4F100EJ59 ,  4F100GB16 ,  4F100JA20B ,  4F100JD02 ,  4F100JK13 ,  4F100JK17 ,  4F100JM02B ,  4F100YY00B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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