特許

J-GLOBAL ID：200903006636114328

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂本 則明 ,  小林 義幸 ,  阪本 純次 ,  岡田 幸夫 ,  五十嵐 優助 ,  前原 栄寿 ,  高橋 幸嗣
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240540
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158315
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート等が支持基板として半導体素子が実装されたBGA型の半導体装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でなく余分な材料であり、支持基板の厚みが、半導体装置を大型化にし、中に組み込まれた半導体素子の熱が放熱されにくい構造となっている。【解決手段】 導電パターン11A〜11Dが絶縁性樹脂10に埋め込まれて形成され、しかも導電箔20がハーフエッチングされて形成されるため、充分にその厚みを薄く形成できる。また放熱用の電極11Dが設けられるため、放熱性に優れた半導体装置が提供できる。更に、応力緩和用の半田電極11Eを設けることにより、周辺部に位置する外部接続電極11Cに発生する応力を緩衝することができ、クラックの発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子のボンディング電極と対応して設けられたパッドと、前記半導体素子の配置領域に設けられた放熱用の電極と、前記放熱用の電極上に設けられた接着手段と、前記接着手段に固着され、前記パッドと電気的に接続された前記半導体素子と、前記パッドの裏面および前記接着手段を露出して一体化するように前記半導体素子を封止する絶縁性樹脂とを有することを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/34

FI (4件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 C ,  H01L 23/34 B

Fターム (22件)：

4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA07 ,  4M109CA10 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109DB15 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB18 ,  5F036BC05 ,  5F036BE01 ,  5F061AA02 ,  5F061BA07 ,  5F061CA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13