特許
J-GLOBAL ID:200903006637976226

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小沢 信助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-123529
公開番号(公開出願番号):特開平7-335828
出願日: 1994年06月06日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 半導体抵抗の抵抗値の変化分を打ち消すことにより、高精度の半導体装置を実現することを目的にする。【構成】 本発明は、半導体により電気回路を構成する半導体装置に改良を加えたものである。本装置は、半導体基板との電位差により抵抗値の変化分が決まる少なくとも1つの第1の半導体抵抗と、この第1の半導体抵抗と共に抵抗比を構成し、所望の電位上に形成され、この電位により抵抗値の変化分が決まり、第1の半導体抵抗の抵抗値の変化分をキャンセルする少なくとも1つの第2の半導体抵抗と、を有することを特徴とする装置である。
請求項(抜粋):
半導体により電気回路を構成する半導体装置において、半導体基板との電位差により抵抗値の変化分が決まる少なくとも1つの第1の半導体抵抗と、この第1の半導体抵抗と共に抵抗比を構成し、所望の電位上に形成され、この電位により抵抗値の変化分が決まり、第1の半導体抵抗の抵抗値の変化分をキャンセルする少なくとも1つの第2の半導体抵抗と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭58-122765
  • 特開昭50-068284
  • 特開昭57-099765

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