特許

J-GLOBAL ID：200903006642686996

炭素を含むナノワイヤ構造

発明者： ニウ, チョンミン
出願人/特許権者： ナノシス・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-541404
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524567
出願日： 2006年11月20日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。

請求項（抜粋）：

炭素主体層を備えるナノワイヤ。

IPC (15件)：

C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02 ,  C01B 31/36 ,  B01J 23/52 ,  B01J 32/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/46 ,  B01J 23/42 ,  H01B 1/04 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/96 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/10

FI (17件)：

C01B31/02 101Z ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z ,  C01B31/36 601S ,  B01J23/52 M ,  B01J32/00 ,  B01J35/02 311Z ,  B01J23/46 M ,  B01J23/42 M ,  H01B1/04 ,  H01M4/58 103 ,  H01M4/96 B ,  H01M4/96 M ,  H01M4/86 B ,  H01M4/86 M ,  H01M8/10

Fターム (127件)：

4G072AA01 ,  4G072AA41 ,  4G072BB04 ,  4G072BB20 ,  4G072FF07 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ47 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR11 ,  4G072UU15 ,  4G072UU30 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AD23 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC34B ,  4G146BC43 ,  4G146MA14 ,  4G146MB03 ,  4G146MB14 ,  4G146MB27 ,  4G146NA12 ,  4G146NB05 ,  4G146NB14 ,  4G169AA01 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA11 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04A ,  4G169BB15A ,  4G169BC16A ,  4G169BC17A ,  4G169BC22A ,  4G169BC31A ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC35A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC52A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC62A ,  4G169BC63A ,  4G169BC64A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC73A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CC32 ,  4G169DA05 ,  4G169EA03X ,  4G169EA03Y ,  4G169FA02 ,  4G169FB15 ,  5E078BA15 ,  5G301BA01 ,  5G301BA02 ,  5G301BA03 ,  5H018AA07 ,  5H018BB01 ,  5H018BB07 ,  5H018DD05 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE10 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018HH01 ,  5H018HH03 ,  5H018HH05 ,  5H018HH08 ,  5H026AA08 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026CC01 ,  5H026CC03 ,  5H026CX02 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE08 ,  5H026EE11 ,  5H026EE12 ,  5H026HH01 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08 ,  5H050BA16 ,  5H050CB01 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050DA03 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA16 ,  5H050GA21 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第5,677,082号明細書
  
• 米国特許第6,303,266号明細書
  
• 米国特許第6,479,030号明細書
  
• 米国特許第6,582,673号明細書
  
• 米国特許第6,749,827号明細書
  
• 米国特許第6,756,026号明細書
  

審査官引用 (1件)

• ナノワイヤーおよびその製造方法、並びにそれを用いたナノネットワーク、ナノネットワークの製造方法、炭素構造体、電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-270808   出願人：富士ゼロックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Synthesis of SiC Nanowires with In-Situ Deposition of Carbon Coating
• 「新・炭素材料入門」, 19980810, p.143-149