特許

J-GLOBAL ID：200903006643290816

薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 沖田 拓士 ,  伊藤 渉 ,  林 俊一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127983
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330408
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 専有面積が小さく、かつ容量の大きな薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 TiN下部電極上に成膜されたTa2 O5 誘電体膜を窒素雰囲気中で熱処理することにより、TiをTa2 O5 誘電体膜中に拡散させることにより比誘電率を向上させ、かつ、誘電体膜を結晶化させることを特徴とする薄膜キャパシタの製法。

請求項（抜粋）：

Tiを含む導電性の窒化物からなる下部電極層とその上に作製した酸化タンタルからなる誘電体層を不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより、下部電極層中のTiを誘電体層に拡散させつつ誘電体層を結晶化させることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C