基板処理装置および基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045970
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251208
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】生産性を損なうことなく基板処理品質を均一化する。処理液の消費量を少なくする。【解決手段】基板Sを処理するための処理液は、処理液槽5から処理液供給配管11を通り、ノズルNから基板Sに供給される。処理液供給配管11を流通する処理液の濃度および温度は、濃度センサ21および温度センサ22によってそれぞれ検出される。温度制御部25は、濃度センサ21によって検出される濃度に応じて、温調モジュール7を制御する。【効果】処理液の濃度に応じてその温度が調整されることにより、一定の処理能力の処理液を基板Sに供給できる。

請求項（抜粋）：

基板に対して処理を施すための処理液を供給する処理液供給路と、上記処理液供給路を流通する処理液の濃度を検出する濃度検出部と、上記処理液供給路を流通する処理液の温度を検出する温度検出部と、上記処理液供給路を流通する処理液の温度を変更する温度変更部と、上記濃度検出部で検出された濃度と上記温度検出部で検出された温度とに基づいて、上記温度変更部の動作を制御する温度制御部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , C23F 1/08 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 648 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/02 Z , C23F 1/08 , H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 648 G , H01L 21/306 J

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