特許
J-GLOBAL ID：200903006646371396
酸化物系超電導体とその製法及びそれを用いたマグネット
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039660
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256018
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高磁界中で液体窒素により冷却,運転される高い臨界電流密度の超電導体、超電導線材、超電導マグネットの提供。【構成】非超電導物質の基板上に式〔1〕〔但し、n=2,3,4,5,6,0≦X1≦0.8,0≦X2≦0.5,0≦X1+X2<1,0≦X3≦1,-0.5≦X4≦0.50.8≦p,q,r,s≦1.2〕で示される酸化物系超電導物質を主成分とする層が形成された超電導体であって、前記基板の法線と超電導物質の結晶のc軸の方向が実質的に同じであり、該結晶のc軸に平行に2T(テスラー)以上の磁場を印加した時の77Kにおける超電導臨界電流密度が、磁場を印加しない時の1/10以上である酸化物系超電導体。(Tl<SB>1-X1-X2</SB>Pb<SB>X1</SB>Bi<SB>X2</SB>)<SB>p</SB>(Sr<SB>1-X3</SB>Ba<SB>X3</SB>)<SB>2q</SB>Ca<SB>(n-1)r</SB>Cu<SB>ns</SB>O<SB>2n+3+X4</SB>...〔1〕
請求項（抜粋）：
非超電導物質の基板上に式〔1〕【化1】 (Tl<SB>1-X1-X2</SB>Pb<SB>X1</SB>Bi<SB>X2</SB>)<SB>p</SB>(Sr<SB>1-X3</SB>Ba<SB>X3</SB>)<SB>2q</SB>Ca<SB>(n-1)r</SB>Cu<SB>ns</SB>O<SB>2n+3+X4</SB> ...〔1〕〔但し、n=2,3,4,5,6,0≦X1≦0.8,0≦X2≦0.5,0≦X1+X2<1,0≦X3≦1,-0.5≦X4≦0.50.8≦p,q,r,s≦1.2〕で示される酸化物系超電導物質を主成分とする層が形成された超電導体であって、前記基板の法線と超電導物質の結晶のc軸の方向が実質的に同じであり、該結晶のc軸に平行に2T(テスラー)以上の磁場を印加した時の77Kにおける超電導臨界電流密度が、磁場を印加しない時の1/10以上であることを特徴とする酸化物系超電導体。
IPC (6件)：
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01F 7/22 ZAA
, H01L 39/04 ZAA
