特許

J-GLOBAL ID：200903006659456293

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 小路 元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-266244
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112567
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 発振モード間の干渉が少なく,製造が容易な多波長同時発振半導体レーザ。【解決手段】 量子箱を有し光共振器の共振波長で発振する半導体レーザにおいて,一群の量子箱の発光スペクトルa又は量子箱の大きさを単峰分布とし,そのスペクトル幅の範囲内の複数の共振波長で発振させる。かかる分布の量子箱は製造のばらつき,例えば堆積のばらつきにより自然に生ずるものを利用でき,製造が容易である。さらに,一群の量子箱を複数群設けることで,単峰分布を重ねて広い波長範囲に渡り平坦な発光スペクトルとし,広波長域での多波長発振を可能とする。

請求項（抜粋）：

量子箱を含む活性層と,光共振器とを備え,該光共振器の共振波長で発振する半導体レーザにおいて,該活性層に含まれる一群の該量子箱の発光遷移に伴う発光スペクトルが単峰のスペクトル分布を有し,該光共振器の複数の共振波長で発振することを特徴とする半導体レーザ。