特許

J-GLOBAL ID：200903006660076640

光センサ及びその作製方法

発明者： 田口 英二 ,  米田 清 ,  花房 寛 ,  河合 和彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356083
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175538
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 SOI 構造を有し、全波長帯域にわたって分光感度特性が得られるようにする。【構成】 サファイア,スピネル等の単結晶絶縁物からなる基板1の表面に単結晶のSi膜2,単結晶のSi1-x Gex 膜3,単結晶のSi膜5をこの順序に堆積し、前記Si膜2,Si1-x Gex 膜3,Si膜5の表面及び側周面をSiO2 膜6で覆い、SiO2 膜6に穿った孔から前記Si膜2,Si1-x Gex 膜3およびSi膜5に対して不純物を注入し、前記Si膜2,Si1-x Gex 膜3,Si膜5中にP型,I型,N型の各領域4a,4b,4cを基板1の表面と平行な向きに交互に配列形成してなるPIN 接合にて光感知半導体素子4を構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁物の表面に単結晶半導体膜を設け、この半導体膜中に光感知半導体素子を形成してなる光センサにおいて、前記絶縁物の表面にSi膜と、Si1-x Gex 膜とを積層形成し、該Si1-x Gex 膜に前記光感知半導体素子を形成したことを特徴とする光センサ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-218087
  
• 特開昭62-165980
  
• 特開昭63-122285