薄膜素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132603
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322709
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】薄膜素子のコイル層などの薄膜導電層は、従来、Cu層によって形成されていたが、薄膜導電層上に酸化層が形成されたときの酸化層の厚さが予測できないために、イオンミーリングなどによって、酸化層を確実に除去することが困難であった。【解決手段】薄膜導電層であるコイル層29を、導電性材料層であるCu層29cと、表面の酸化層が所定厚さ以上に進行しない材料で形成される導電性保護層であるNi層29dを有するものとすることにより、酸化層を確実に除去することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜導電層と、この薄膜導電層の表面に接続される導電体とを有する薄膜素子において、前記薄膜導電層は、導電性材料層と、前記導電性材料層上に積層された所定厚さの導電性保護層とを有することを特徴とする薄膜素子。

IPC (4件)：

G11B 5/31 , H01F 17/00 , H01F 41/04 , G11B 5/39

FI (4件)：

G11B 5/31 F , H01F 17/00 Z , H01F 41/04 C , G11B 5/39

Fターム (12件)：

5D033BA32 , 5D033CA05 , 5D033DA04 , 5D033DA31 , 5D034BA09 , 5D034BA17 , 5D034DA07 , 5E062DD10 , 5E062FG07 , 5E070AA20 , 5E070AB10 , 5E070EA01

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-356710
特開昭61-280012
特開平4-089609

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