特許

J-GLOBAL ID：200903006664388166

半導体処理装置

発明者： 吉田 秀昭
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251543
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 真空チャンバ内で半導体ウエハを処理する装置において、半導体ウエハの搬送時に発生するパーティクルを低減することにある。【構成】 搬送用チャンバ6にガス導入口11を設け、処理用チャンバ1の真空計5の出力と、搬送用チャンバ6の真空計12の出力との差に応じ、制御回路8の制御したで流量コントローラ9を動作させる。これにより、処理用チャンバ1の内部圧力と搬送用チャンバ6の内部圧力とを等しくする。この後、ゲートバルブ13を開くことにより、各チャンバに発生するパーティクルを低減できる。

請求項（抜粋）：

第1の真空ポンプおよびガス導入口を有して半導体ウエハを処理するための処理用チャンバと、第2の真空ポンプを有して前記処理用チャンバに前記半導体ウエハを搬送することができる搬送用チャンバと、前記処理用チャンバと前記搬送用チャンバとの間で前記半導体ウエハを搬送するときにゲートとして作用するゲートバルブとを備えた半導体処理装置において、前記処理用チャンバと前記搬送用チャンバとのそれぞれに備えられ、各チャンバの真空度を計測するための一対の真空計と、前記処理用チャンバの内部圧力に応じて前記搬送用チャンバの内部圧力を制御するための制御回路とを備え、かつ、前記搬送用チャンバには前記内部圧力を制御するための第2のガス導入口を備えて構成した半導体処理装置。