特許
J-GLOBAL ID：200903006672964010
薄膜成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123553
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326406
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】必要な濃度のドーパントガスが反応部へ導かれ、薄膜成長する上で1つの装置にて広範囲の濃度分布の製品が得られるようにする。【構成】反応炉内に基板を配置し、反応炉内に、ガス供給源23からのドーパントガスとキャリアガスを混合器MXにより混合して供給し、気相成長により基板上に薄膜を形成するものにおいて、ガス供給源23と混合器MXの間、反応炉と混合器MXの間、混合器とガス排気装置VENTとの間にそれぞれ配設され、ガス流量を制御可能な第1,第2,第3の流量制御器MFC5,3,4と、ガス供給源と流量制御器の間の管路に配設された開閉弁PV5と、流量制御器MFC3とガス排気装置の間の管路に配設された開閉弁PV10と、流量制御器MFC4とガス排気装置の間の管路に配設された開閉弁PV12と、混合器とキャリアガスの供給管路の間に配設された開閉弁PV11とを具備したもの。
請求項（抜粋）：
反応炉内にシリコン、ガラス等の基板を配置し、前記反応炉内に、ガス供給源からの少なくとも1種類の原料ガスとキャリアガスを混合器により混合して供給し、気相成長により前記基板上に薄膜を形成する薄膜成長装置であって、前記ガス供給源と前記混合器の間、前記反応炉と前記混合器の間、前記混合器とベントラインとの間にそれぞれ配設され、前記ガス流量を制御可能な第1,第2,第3の流量制御器を有し、前記第1の流量制御器により流量を制御され前記第2及び第3の流量制御器の設定値に応じて前記混合器によりキャリアガスで所望濃度に希釈された原料ガスを、前記第2の流量制御器を介して前記反応炉へ供給可能にした薄膜成長装置において、前記ベントラインに通じる第3の流量制御器のガス流を独立してしゃ断可能に構成し、前記ガス供給源からの原料ガスを希釈することなく前記第1,第2の流量制御器及び混合器を介して前記反応炉へ供給可能にしたことを特徴とする薄膜成長装置。
引用特許：
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