特許

J-GLOBAL ID：200903006676988860

半導体装置の製造方法

発明者： 瀧澤 裕 ,  梁井 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049528
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235502
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】透明導電膜上での半導体選択成長工程を含む半導体装置の製造方法に関し、透明導電膜の上に容易に半導体を選択成長すること。【構成】金属、金属酸化物又は金属間化合物からなる導電膜3を絶縁膜1の上に形成する工程と、前記導電膜3の少なくとも表面に、前記導電膜3及び前記絶縁膜1を構成しないIIIb族、IVb 族、Vb 族、 VIIb 族の何れかの元素を含む成長核層5を形成する工程と、前記成長核層5の上に半導体6を選択成長する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

金属、金属酸化物又は金属間化合物からなる導電膜(3,13,36,42,53)を絶縁膜(1,12,23,35,41,52)の上に形成する工程と、 前記導電膜(3,13,36,42,53)の少なくとも表面に、前記導電膜(3,13,36,42,53)及び前記絶縁膜(1,12,23,35,41,52)を構成しないIIIb族、IVb 族、Vb 族、 VIIb 族の何れかの元素を含む成長核層(5,15,37,43,53a)を形成する工程と、前記成長核層(5,15,37,43,53a )の上に半導体(6,16,30,40,44,54)を選択成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 M