特許
J-GLOBAL ID：200903006681876301
絶縁膜層の形状形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190067
公開番号（公開出願番号）：特開平5-033163
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【目的】 基板上の絶縁膜層をエッチング除去した時に形成される、各種の問題となるプロファイルを、滑らかにする技術を提供する。【構成】 シリコン基板2上にシリコン酸化膜層4を形成する(図1(a))。次に、シリコン酸化膜層4の表面に、イオンインプラによりAr+を打ち込み、エッチング速度の大きなダメージ層6を形成する(図1(b))。次に、ホトレジスト8をマスクとして形成し、化学エッチングを行い、シリコン酸化膜層4をテーパ10状に選択除去する(図1(c))。最後に、シリコン基板2全体を、熱処理する。このアニールにより、ダメージ層6は回復し、キンク形状12の存在しない、なめらかなテーパ14が形成される(図1(e))。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜層を形成する工程と、この絶縁膜層の表面近傍にイオンインプラ等の方法でイオンを打ち込み、前記絶縁膜層の厚み方向のエッチングレートを変化させる工程と、エッチングにより前記絶縁膜層を所望のパターンに選択的に除去する工程と、これらの工程の後に前記絶縁膜層の形成に要する温度以上の高温で処理する工程と、が含まれていることを特徴とする絶縁膜層の形状形成方法。
IPC (3件)：
C23F 1/00
, H01L 21/302
, H01L 21/306
