特許

J-GLOBAL ID：200903006686124430

薄膜コンデンサの製造方法

発明者： 伊藤 寿 ,  山本 芳枝 ,  阿部 和秀 ,  小松 周一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203809
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057967
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 SrTiO3 薄膜等のペロブスカイト構造の酸化物層と下部電極に対し適切なエッチング選択性を有し、かつ適切な段差形状を確保しつつ簡便にパターニングできるエッチング液を用いた薄膜コンデンサの製造方法を提供するものである。【構成】 ペロブスカイト構造の酸化物薄膜を誘電体とする薄膜コンデンサにおいて、前記酸化物薄膜のパターニングをエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O2 -H2 O溶液またはエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O溶液をエッチング液として用いて行うことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ベース基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記第1の導電層の上にペロブスカイト構造の酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層をエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O2 -H2 O溶液を用いて選択的にエッチングする工程と、前記酸化物層上に第2の導電層を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  C23F 1/00 102 ,  H01G 4/10

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-138235
  
• 特開昭55-138235